PMV45EN2R备选型号: DMN3070SSN-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V SOT234 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4.1A Ta2V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)1997活跃1 (Unlimited)335mOhm逻辑电平兼容DUAL鸥翼IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 4.1A, 10V209pF @ 15V6.3nC @ 10V30V±20V4.1ATO-236AB30VROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET N-CH 30V 4.2A SC5916 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-359SILICON4.2A Ta2.1V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2010活跃1 (Unlimited)3-HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼-R-PDSO-G3-增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 4.2A, 10V697pF @ 15V13.2nC @ 10V30V±20V4.2A-30VROHS3 Compliant-7.994566mge3EAR99Matte Tin (Sn)1Single4.3 ns20.1ns4.1 ns20V0.04Ohm1.3mm3.1mm1.7mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 对比 |
![]() | DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 对比 |
![]() | DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 | 对比 |





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