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PMV45EN2R备选型号: DMP3056L-7
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 30V SOT234 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4.1A Ta2V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)1997活跃1 (Unlimited)335mOhm逻辑电平兼容DUAL鸥翼IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 4.1A, 10V209pF @ 15V6.3nC @ 10V30V±20V4.1ATO-236AB30VROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON35.2 ns2.1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)3--DUAL鸥翼-R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 6A, 10V642pF @ 25V11.8nC @ 10V30V±25V-4.3A--ROHS3 Compliant-e3EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明11.38W4.9 ns25V0.05Ohm-30V20A150°C1.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 对比 |
| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 对比 |
 | DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 | 对比 |
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