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PMV45EN2R备选型号: IRLML6344TRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V SOT234 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4.1A Ta2V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)1997活跃1 (Unlimited)335mOhm逻辑电平兼容DUAL鸥翼IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 4.1A, 10V209pF @ 15V6.3nC @ 10V30V±20V4.1ATO-236AB30VROHS3 Compliant无铅------------------------
MOSFET N-CH 30V 5A SOT2312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON5A Ta1.1V @ 10μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)337MOhm-DUAL鸥翼---增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING29m Ω @ 5A, 4.5V650pF @ 25V6.8nC @ 4.5V-±12V5A--ROHS3 Compliant无铅HEXFET®e3EAR99Matte Tin (Sn)260301Single1.3W4.2 ns5.6ns9.1 ns800mV12V5A30V15 ns150°C800 mV1.12mm3.04mm1.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 对比 |
| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 对比 |
 | DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 | 对比 |
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