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PMV65ENEAR备选型号: IRLML9303TRPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
NEXPERIA - PMV65ENEAR - MOSFET, N- CH, 40V, 2.7A, TO-236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016活跃1 (Unlimited)3逻辑电平兼容DUAL鸥翼3AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING75m Ω @ 2.7A, 10V2.5V @ 250μA160pF @ 20V6nC @ 10V40V±20V2.7ATO-236AB0.075Ohm40VROHS3 Compliant----------------------
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼----增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING165m Ω @ 2.3A, 10V2.4V @ 10μA160pF @ 25V2nC @ 4.5V30V±20V-2.3A---ROHS3 Compliant3e3EAR99165MOhmMatte Tin (Sn)Single1.25W7.5 ns14ns8.6 ns-1.3V20V-30V12A18 ns-1.3 V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 | 对比 |
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
 | DMP4065S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 | 对比 |
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