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首页 全部分类 PMXB43UNEZ vs PMDPB38UNE,115

PMXB43UNEZ备选型号: PMDPB38UNE,115

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMXB43UNEZ
    Nexperia USA Inc.
    In a Pack of 25, 3 N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215 Nexperia PMXB43UNEZ
    4 Weeks
    表面贴装
    3-XDFN Exposed Pad
    YES
    3
    SILICON
    3.2A Ta
    900mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 3.2A, 4.5V
    551pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    20ns
    ±8V
    4 ns
    3.2A
    8V
    20V
    0.054Ohm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMDPB38UNE,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    -
    -
    4A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    46m Ω @ 3A, 4.5V
    268pF @ 10V
    4.4nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6
    510mW
    1V @ 250μA
    20V
    逻辑电平门
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PMDPB38UNE,115 PMDPB38UNE,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-UDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 对比