注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.692128
10
¥1.596347
100
¥1.505988
500
¥1.420744
1000
¥1.340324
Nexperia USA Inc. PMXB43UNEZ
- 收藏
- 对比
PMXB43UNEZ
1729-PMXB43UNEZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

In a Pack of 25, 3 N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215 Nexperia PMXB43UNEZ
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMXB43UNEZ详情
Nexperia USA Inc. PMXB43UNEZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400mW Ta 8.33W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
54m Ω @ 3.2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
551pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.054Ohm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMXB43UNEZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.









哦! 它是空的。