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首页 全部分类 PMZ290UNEYL vs PMGD130UN,115

PMZ290UNEYL备选型号: PMGD130UN,115

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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 功率 - 最大
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ290UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    N-channel 20 V 380 mOhm Surface Mount Trench Mosfet - SOT-883
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    SILICON
    1.8V 4.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    290mOhm
    BOTTOM
    无铅
    3
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 500mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    83pF @ 10V
    0.68nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1A
    1.2A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD130UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
    -
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    1.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    145m Ω @ 1.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    83pF @ 10V
    1.3nC @ 4.5V
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    390mW
    逻辑电平门
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