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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.378733
500
¥0.278483
1000
¥0.232067
2000
¥0.212908
5000
¥0.198974
10000
¥0.185094
15000
¥0.179008
50000
¥0.176016
Nexperia USA Inc. PMZ290UNEYL
- 收藏
- 对比
PMZ290UNEYL
1729-PMZ290UNEYL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
大陆
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N-channel 20 V 380 mOhm Surface Mount Trench Mosfet - SOT-883
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMZ290UNEYL详情
Nexperia USA Inc. PMZ290UNEYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta 2.7W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
290mOhm
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
引脚数量
3
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
83pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.68nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
1A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.2A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMZ290UNEYL拓展信息
Nexperia USA Inc.
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