PMZ370UNEYL备选型号: DMN3730U-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 长度
- 高度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 0.9A8 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8833SILICON900mA Ta1.05V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)3370mOhmBOTTOM无铅IEC-60134R-PBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING490m Ω @ 500mA, 4.5V78pF @ 25V1.16nC @ 4.5V30V±8V900mA0.9A30VROHS3 Compliant------------------------
- MOSFET N-CH 30V 750MA SOT2317 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1950mV @ 250μA-55°C~150°C TJDigi-Reel®2011活跃1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼---增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING460m Ω @ 200mA, 4.5V64.3pF @ 25V1.6nC @ 4.5V-±8V750mA0.75A-ROHS3 Compliant7.994566mge3yesEAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY260401Single450mW3.5 ns2.8ns13 ns8V0.46Ohm30V150°C3mm1.1mm1.4mm无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 | 对比 |
![]() | PMG370XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP | 对比 |
| NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | 对比 |





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