Nexperia USA Inc. PMZ370UNEYL
- 收藏
- 对比
PMZ370UNEYL
1729-PMZ370UNEYL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 0.9A
--最小包装量--
PMZ370UNEYL详情
Nexperia USA Inc. PMZ370UNEYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
900mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta 2.7W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.05V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
370mOhm
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
490m Ω @ 500mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
78pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.16nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
900mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.9A
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMZ370UNEYL拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.











哦! 它是空的。