Diodes Incorporated DMN3730U-7

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

750mA Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

Turn Off Delay Time

38 ns

Power Dissipation (Max)

450mW Ta

已出版

2011

包装

Digi-Reel®

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450mW

接通延迟时间

3.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

460m Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

64.3pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.6nC @ 4.5V

上升时间

2.8ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

750mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.75A

漏极-源极导通最大电阻

0.46Ohm

漏源击穿电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

长度

3mm

高度

1.1mm

宽度

1.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅