PMZ950UPEYL备选型号: DMN2990UFA-7B
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Single P-Channel 20 V 1.4 Ohm 2.1 nC SMT Trench MOSFET - DFN1006-38 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8833SILICON500mA Ta950mV @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)31.02OhmBOTTOM无铅IEC-60134R-PBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN2.3 nsP-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 500mA, 4.5V43pF @ 10V2.1nC @ 4.5V5ns20V±8V6 ns500mA8V0.5A20VROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET N-CH 20V 0.51A15 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON510mA Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2013活跃1 (Unlimited)3-DUAL无铅---增强型MOSFETDRAIN4 nsN-ChannelSWITCHING990m Ω @ 100mA, 4.5V27.6pF @ 16V0.5nC @ 4.5V3.3ns-±8V6.4 ns510mA8V--ROHS3 Compliante4yesEAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY260401Single0.99Ohm20V5.6 pF350μm650μm850μm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDY100PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 | 对比 | |
![]() | FDY2000PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET | 对比 |
![]() | DMP21D5UFD-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UDFN | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A T/R | 对比 |






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