PMZB1200UPEYL备选型号: FDV304P
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V SOT8838 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON1950mV @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015活跃1 (Unlimited)3BOTTOM无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 410mA, 4.5V43.2pF @ 15V1.2nC @ 4.5V30V±8V410mA0.41AROHS3 Compliant------------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDV304P - Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Surface Mount10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON460mA Ta1.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)1 (Unlimited)3DUAL鸥翼-增强型MOSFET-P-ChannelSWITCHING1.1 Ω @ 500mA, 4.5V63pF @ 10V1.5nC @ 4.5V-±8V460mA-ROHS3 CompliantTine3yesSMD/SMTEAR991.5Ohm-25V260-460mA30125VSingle46A350mW7 ns8ns8 ns-860mV-8V-25V-25V150°C-860 mV1.11mm2.92mm1.3mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDV304P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDV304P - Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Surface Mount | 对比 |
![]() | DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN | 对比 |
![]() | DMP31D0U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23 | 对比 |






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