Nexperia USA Inc. PMZB1200UPEYL
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PMZB1200UPEYL
1729-PMZB1200UPEYL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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MOSFET P-CH 30V SOT883
1最小包装量--
PMZB1200UPEYL详情
Nexperia USA Inc. PMZB1200UPEYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
310mW Ta 1.67W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
410mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 410mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
43.2pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
410mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.41A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMZB1200UPEYL拓展信息
Nexperia USA Inc.
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