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首页 全部分类 PMZB150UNEYL vs DMP2104V-7

PMZB150UNEYL备选型号: DMP2104V-7

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZB150UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V SOT883
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    DFN1006B-3
    1.5A Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    200mOhm @ 1.5A, 4.5V
    93pF @ 10V
    1.6nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1.5A
    93pF
    170mOhm
    200 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2104V-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET -20V -860mA
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    -
    2.1A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    150m Ω @ 950mA, 4.5V
    320pF @ 16V
    -
    20V
    ±12V
    -950mA
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3.005049mg
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    yes
    6
    EAR99
    150mOhm
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    170mW
    SWITCHING
    -1V
    12V
    -20V
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    无铅
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