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首页 全部分类 PMZB200UNEYL vs IRLML2803TRPBF

PMZB200UNEYL备选型号: IRLML2803TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZB200UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    Mosfet Transistor, N Channel, 1.4 A, 30 V, 0.21 Ohm, 4.5 V, 700 Mv Rohs Compliant: Yes
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    1.4A Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 1.4A, 4.5V
    89pF @ 15V
    2.7nC @ 4.5V
    30V
    ±8V
    1.4A
    0.25Ohm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2803TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1.2A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 910mA, 10V
    85pF @ 25V
    5nC @ 10V
    -
    ±20V
    1.2A
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    Micro3
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    250mOhm
    HIGH RELIABILITY
    30V
    1.2A
    1
    Single
    540mW
    3.9 ns
    4ns
    1.7 ns
    1V
    20V
    30V
    30V
    150°C
    1 V
    30V
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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