Nexperia USA Inc. PMZB200UNEYL

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Ta 6.25W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1.4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

89pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

1.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant