PQMD2Z备选型号: PQMH10Z
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 已出版
- TRANS NPN/PNP RET 6DFN4 Weeks表面贴装表面贴装6-XFDFN Exposed PadSILICON50VTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101活跃1 (Unlimited)6BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1230mW无铅未说明未说明6AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTORCOLLECTOR230mWSWITCHINGNPN和PNP1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)150mV100mA60 @ 5mA 5V1μA150mV @ 500μA, 10mA230MHz230MHz 180MHz22k Ω22k ΩROHS3 Compliant-
- TRANS NPN/NPN RET 6DFN4 Weeks表面贴装表面贴装6-XFDFN Exposed PadSILICON50VTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101活跃1 (Unlimited)6BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21350mW无铅未说明未说明6AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTORCOLLECTOR350mWSWITCHINGNPN2 NPN - Pre-Biased (Dual)100mV100mA100 @ 10mA 5V1μA100mV @ 250μA, 5mA230MHz230MHz2.2k Ω47k ΩROHS3 Compliant2017
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | 对比 | |
| FJX4006RTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | 对比 | |
![]() | PQMH10Z | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-XFDFN Exposed Pad | TRANS NPN/NPN RET 6DFN | 对比 |



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