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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.742237
10
¥2.587014
100
¥2.440579
500
¥2.302433
1000
¥2.172106
Nexperia USA Inc. PQMH10Z
- 收藏
- 对比
PQMH10Z
1729-PQMH10Z
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-XFDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

TRANS NPN/NPN RET 6DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PQMH10Z详情
Nexperia USA Inc. PQMH10Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2017
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大功率耗散
350mW
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
350mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
100mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
转换频率
230MHz
频率转换
230MHz
电阻基(R1)
2.2k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PQMH10Z拓展信息
Nexperia USA Inc.
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