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首页 全部分类 PSMN1R9-25YLC,115 vs FDMS8820

PSMN1R9-25YLC,115备选型号: FDMS8820

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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN1R9-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-Ch 25V 2.05 mOhms
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    2.05m Ω @ 25A, 10V
    1.95V @ 1mA
    3504pF @ 12V
    57nC @ 10V
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8820
    ON Semiconductor
    MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    28A Ta 116A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2m Ω @ 28A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5315pF @ 15V
    88nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8
    68.1mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    16ns
    13 ns
    116A
    MO-240AA
    20V
    0.002Ohm
    30V
    294 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
    无铅
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