PSMN1R9-25YLC,115备选型号: IRF6892STRPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 连续放电电流(ID)
- 无铅
- MOSFET N-Ch 25V 2.05 mOhms表面贴装SC-100, SOT-669100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)not_compliant4N-Channel2.05m Ω @ 25A, 10V1.95V @ 1mA3504pF @ 12V57nC @ 10V25V±20V2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N CH 25V 28A S3表面贴装DirectFET™ Isometric S3C28A Ta 125A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel1.7m Ω @ 28A, 10V2.1V @ 50μA2510pF @ 13V25nC @ 4.5V25V±16V-ROHS3 Compliant13 Weeks表面贴装8HEXFET®EAR991.3mOhm未说明未说明Single125A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6892STRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric S3C | MOSFET N CH 25V 28A S3 | 对比 |
| FDMS8820 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm | 对比 | |
![]() | IRFH5302TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 | 对比 |





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