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首页 全部分类 PSMN1R9-25YLC,115 vs IRFH5302TRPBF

PSMN1R9-25YLC,115备选型号: IRFH5302TRPBF

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN1R9-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-Ch 25V 2.05 mOhms
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    2.05m Ω @ 25A, 10V
    1.95V @ 1mA
    3504pF @ 12V
    57nC @ 10V
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5302TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    32A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2.1m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4400pF @ 15V
    76nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    8
    SILICON
    HEXFET®
    5
    EAR99
    2.1MOhm
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    51ns
    18 ns
    32A
    20V
    30V
    400A
    1.8 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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