PSMN2R0-30YL,115备选型号: PH8030L,115
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- PSMN2R0-30YL - N-channel 30 V 2 m? logic level MOSFET in LFPAK12 Weeks表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON100A Tc2.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011TrenchMOS™e3活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75SINGLE鸥翼26030R-PSSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 15A, 10V3980pF @ 12V64nC @ 10V30V±20V100AMO-2350.0032Ohm667A30V151 mJnot_compliantROHS3 Compliant-
- MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK-表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON12.15V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006TrenchMOS™e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)8541.29.00.95SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 25A, 10V2260pF @ 12V15.2nC @ 4.5V30V±20V--0.0097Ohm300A30V95 mJnot_compliantROHS3 Compliant76.7A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PH3330L,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 对比 |
![]() | PH8030L,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK | 对比 |




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