Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YL,115

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

97W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3980pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

MO-235

漏极-源极导通最大电阻

0.0032Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

667A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

151 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant