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首页 全部分类 PSMN3R5-25MLDX vs IRLR8256PBF

PSMN3R5-25MLDX备选型号: IRLR8256PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 引脚数
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  • 终端
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  • 电阻
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN3R5-25MLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    8
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.72m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 1mA
    1334pF @ 12V
    18.9nC @ 10V
    25V
    ±20V
    70A
    0.00372Ohm
    405A
    25V
    106.6 mJ
    Schottky Diode (Body)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8256PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    81A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1470pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    81A
    -
    -
    -
    86 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    5.7MOhm
    260
    30
    Single
    63W
    9.7 ns
    46ns
    8.5 ns
    1.8V
    TO-252AA
    20V
    25V
    25V
    29 ns
    1.8 V
    6.73mm
    2.39mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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