我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
PSMN3R5-25MLDX备选型号: NTD4858NAT4G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 元素配置
- 功率耗散
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q26 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-669SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼8IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.72m Ω @ 25A, 10V2.2V @ 1mA1334pF @ 12V18.9nC @ 10V25V±20V70A0.00372Ohm405A25V106.6 mJSchottky Diode (Body)ROHS3 Compliant-----
MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-11.2A Ta 73A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2007Obsolete1 (Unlimited)----------N-Channel-6.2m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1563pF @ 12V19.2nC @ 4.5V--13.6A-----符合RoHS标准4Single2W20V25V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PHD108NQ03LT,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK | 对比 |
| NTD4858NAT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK | 对比 |
 | IRLR8256PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK | 对比 |
哦! 它是空的。