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首页 全部分类 PSMN3R5-25MLDX vs PHD108NQ03LT,118

PSMN3R5-25MLDX备选型号: PHD108NQ03LT,118

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  • 零件状态
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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN3R5-25MLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    8
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.72m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 1mA
    1334pF @ 12V
    18.9nC @ 10V
    25V
    ±20V
    70A
    0.00372Ohm
    405A
    25V
    106.6 mJ
    Schottky Diode (Body)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PHD108NQ03LT,118
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    3
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 1mA
    1375pF @ 12V
    16.3nC @ 4.5V
    25V
    ±20V
    -
    0.0075Ohm
    240A
    25V
    180 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    TrenchMOS™
    e3
    EAR99
    TIN
    未说明
    unknown
    未说明
    不合格
    TO-252AA
    75A
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