您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PSMN7R0-30YL,115 vs BF998E6327HTSA1

PSMN7R0-30YL,115备选型号: BF998E6327HTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 测试电流
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 增益
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 噪声图
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN7R0-30YL,115
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 76A, 4-SOT-669
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    4
    453.59237mg
    SILICON
    76A Tc
    2.15V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    7MOhm
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    51W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 15A, 10V
    1270pF @ 12V
    22nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    11 ns
    76A
    MO-235
    20V
    30V
    65A
    30V
    260A
    175°C
    1.2mm
    6.35mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BF998E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    -
    TO-253-4, TO-253AA
    4
    -
    -
    1
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    SINGLE
    1
    DUAL GATE, DEPLETION MODE
    -
    SOURCE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30mA
    -
    8V
    -
    0.03A
    -
    -
    -
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    150°C
    -55°C
    12V
    200mW
    30mA
    45MHz
    BF998
    4
    10mA
    不含卤素
    N-Channel
    28dB
    1.2pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.8dB
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BF999E6327HTSA1 BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 对比
BF5030WH6327XTSA1 BF5030WH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 SC-82A, SOT-343 MOSFET RF N-CH 8V 25MA SOT343 对比
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 TO-253-4, TO-253AA Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R 对比