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PSMN7R8-100PSEQ备选型号: NDPL100N10BG
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 无铅
MOSFET N-CH 100V SIL312 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON100A Tj-55°C~175°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)3SINGLE3IEC-60134R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.8m Ω @ 25A, 10V4V @ 1mA7110pF @ 50V128nC @ 10V100V±20V100ATO-220AB0.0078Ohm473A100V315 mJROHS3 Compliant---------
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-220 Tube6 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON100A Ta175°C TJTube-Obsolete1 (Unlimited)3SINGLE---SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING7.2m Ω @ 50A, 15V4V @ 1mA2950pF @ 50V35nC @ 10V100V±20V100ATO-220AB0.0087Ohm400A100V147 mJ符合RoHS标准3e3yesTin (Sn)40 ns385ns52 ns20V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP110N8F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
| NDPL100N10BG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-220 Tube | 对比 |
 | IPP06CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
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