Nexperia USA Inc. PSMN7R8-100PSEQ

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

294W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7110pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

128nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0078Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

473A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

315 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant