PSMN8R0-40PS,127备选型号: BUK968R3-40E,118
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 系列
- 附加功能
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB12 WeeksNOTO-220-3通孔3SILICON77A Tc4V @ 1mA2009Tube-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.6m Ω @ 25A, 10V1262pF @ 12V21nC @ 10V40V±20VTO-220AB77A0.0076Ohm40VROHS3 Compliantnot_compliant-------
- Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-YESTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装3SILICON75A Tc2.1V @ 1mA2012Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING6.4m Ω @ 20A, 10V2600pF @ 25V20.9nC @ 5V40V±10V-75A0.0079Ohm40VROHS3 Compliantnot_compliantTrenchMOS™雪崩 额定鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G2319A43.9 mJ
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| BUK968R3-40E,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 | |
| BUK9E3R2-40E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail | 对比 |



哦! 它是空的。