Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40PS,127

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

86W Tc

Number of Elements

1

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.6m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1262pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

77A

漏极-源极导通最大电阻

0.0076Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant