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首页 全部分类 QS6J1TR vs FDC6306P

QS6J1TR备选型号: FDC6306P

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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 功率 - 最大
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    QS6J1TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    5
    SILICON
    2
    150°C TJ
    2003
    Tape & Reel (TR)
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    340MOhm
    -20V
    1.25W
    鸥翼
    260
    -1.5A
    10
    *J1
    6
    R-PDSO-G6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.25W
    10 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    215m Ω @ 1.5A, 4.5V
    2V @ 1mA
    270pF @ 10V
    3nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    12 ns
    1.5A
    -2V
    12V
    -20V
    6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    1999
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    170mOhm
    -20V
    960mW
    鸥翼
    -
    -1.9A
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    441pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    9 ns
    1.9A
    -900mV
    8V
    -20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    36mg
    PowerTrench®
    700mW
    -20V
    -900 mV
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
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