ROHM Semiconductor QS6J1TR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

150°C TJ

已出版

2003

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

340MOhm

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*J1

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

215m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

阈值电压

-2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅