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首页 全部分类 QS6K1TR vs FDC6506P

QS6K1TR备选型号: FDC6506P

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    QS6K1TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    364MOhm
    30V
    900mW
    鸥翼
    260
    1A
    10
    *K1
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.25W
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    238m Ω @ 1A, 4.5V
    1.5V @ 1mA
    77pF @ 10V
    2.4nC @ 4.5V
    7ns
    7 ns
    1A
    1.5V
    12V
    1A
    30V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6506P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    170MOhm
    -30V
    960mW
    鸥翼
    -
    -1.8A
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    190pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    8ns
    8 ns
    1.8A
    -1.8V
    20V
    -
    -30V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    36mg
    PowerTrench®
    逻辑电平兼容
    2
    700mW
    150°C
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
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