ROHM Semiconductor QS6K1TR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

364MOhm

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*K1

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

238m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

77pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.4nC @ 4.5V

上升时间

7ns

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

1A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅