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QS6M3TR备选型号: BSL214NL6327HTSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 附加功能
- HTS代码
- 配置
- 接通延迟时间
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT625 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2006e1yes不用于新设计1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR99360MOhm900mW鸥翼2601.5A10*M36Dual增强型MOSFET1.25WN and P-ChannelSWITCHING230m Ω @ 1.5A, 4.5V1.5V @ 1mA80pF @ 10V1.6nC @ 4.5V12ns30V 20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL12 ns1.5A1.5V12V-20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013-yesObsolete1 (Unlimited)6-EAR99-500mW鸥翼---BSL2146-增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)-140m Ω @ 1.5A, 4.5V1.2V @ 3.7μA143pF @ 10V0.8nC @ 5V7.6ns20V-1.4 ns1.5A-12V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门--无符合RoHS标准-OptiMOS™AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE8541.21.00.95SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE4.1 ns0.14Ohm20V9 pF- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLMS6702TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | 对比 |
 | FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |
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