ROHM Semiconductor QS6M3TR

工厂交货时间

25 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

360MOhm

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*M3

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

80pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.6nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

30V 20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅