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R6011KNX备选型号: FQPF12N60C
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 底架
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM18 Weeks通孔TO-220-3 Full PackNO3SILICON1-55°C~150°C TJBulk2015活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING390m Ω @ 3.8A, 10V5V @ 1mA740pF @ 25V22nC @ 10V600V±20V11A5VTO-220AB600V210 mJ无SVHCROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F-通孔TO-220-3 Full Pack-3SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTube2007Obsolete1 (Unlimited)3EAR99-未说明-未说明-增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING650m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA2290pF @ 25V63nC @ 10V-±30V12A4VTO-220AB-870 mJ无SVHC符合RoHS标准ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)通孔2.27gQFET®e3yesTin (Sn)600V12A不合格Single51W85ns90 ns30V0.65Ohm600V48A无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF12N60C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F | 对比 |
 | STB18N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
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