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首页 全部分类 R6011KNX vs STB18N60DM2

R6011KNX备选型号: STB18N60DM2

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  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • ROHM Semiconductor
    R6011KNX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 3.8A, 10V
    5V @ 1mA
    740pF @ 25V
    22nC @ 10V
    600V
    ±20V
    11A
    5V
    TO-220AB
    600V
    210 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB18N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
    17 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    -
    12A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    295m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    -
    ±25V
    12A
    4V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    D2PAK-0079457
    MDmesh™ DM2
    STB18N
    1
    110W
    13.5 ns
    25V
    600V
    150°C
    4.83mm
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