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RAQ045P01TCR备选型号: DMN1032UCB4-7
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT626 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON4.5A Ta150°C TJCut Tape (CT)2011e1yesDiscontinued1 (Unlimited)6EAR99Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)DUAL鸥翼260106R-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING30m Ω @ 4.5A, 4.5V1V @ 1mA4200pF @ 6V40nC @ 4.5V12V-8V4.5A0.03Ohm18A12VROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W34 Weeks表面贴装表面贴装4-UFBGA, WLBGASILICON4.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e1-活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALL未说明未说明---增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 1A, 4.5V1.2V @ 250μA450pF @ 6V4.5nC @ 4.5V-±8V4.8A0.038Ohm--ROHS3 Compliant-4HIGH RELIABILITY1Single3.3 ns5.6ns9 ns8V12V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | 对比 |
| DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | 对比 |
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