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首页 全部分类 RF4E110GNTR vs FDMS8888

RF4E110GNTR备选型号: FDMS8888

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RF4E110GNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    11A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.3m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    504pF @ 15V
    7.4nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    3 ns
    11A
    20V
    30V
    44A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8888
    ON Semiconductor
    MOSFET, N CH, 30V, 21A, POWER56
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13.5A Ta 21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    R-PDSO-N5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 13.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1585pF @ 15V
    33nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    4 ns
    13.5A
    20V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    74mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    42W
    0.0095Ohm
    54 mJ
    1.9 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
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