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首页 全部分类 RF4E110GNTR vs IRFHM8334TRPBF

RF4E110GNTR备选型号: IRFHM8334TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
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  • 配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RF4E110GNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    11A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.3m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    504pF @ 15V
    7.4nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    3 ns
    11A
    20V
    30V
    44A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    S-PDSO-F5
    1
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    4.6 ns
    13A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.7W
    30V
    1.8V
    25A
    0.009Ohm
    30V
    35 mJ
    无SVHC
    无
    无铅
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