您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 RF4E110GNTR vs NVTFS4C13NTAG

RF4E110GNTR备选型号: NVTFS4C13NTAG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 参考标准
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RF4E110GNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    11A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.3m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    504pF @ 15V
    7.4nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    3 ns
    11A
    20V
    30V
    44A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C13NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    not_compliant
    -
    S-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    770pF @ 15V
    15.2nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    14A
    20V
    30V
    152A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    40A
    0.0094Ohm
    10 mJ
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHM8334TRPBF IRFHM8334TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN 对比
NVTFS4C13NTAG NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 对比
FDMS8888 FDMS8888 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET, N CH, 30V, 21A, POWER56 对比