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首页 全部分类 RF4E110GNTR vs FDS8880

RF4E110GNTR备选型号: FDS8880

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RF4E110GNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    11A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.3m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    504pF @ 15V
    7.4nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    3 ns
    11A
    20V
    30V
    44A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8880
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 11.6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1235pF @ 15V
    30nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    15 ns
    11.6A
    20V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    130mg
    PowerTrench®
    e4
    yes
    SMD/SMT
    10MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    11.6A
    2.5W
    2.5V
    30V
    2.5 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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