RGT30NS65DGTL备选型号: SGW23N60UFDTM
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 开关能量
- 无铅
- IGBT 650V 30A 133W TO-263S17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON650V1.65V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)2EAR99133W鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single133WCOLLECTORStandard18 ns电源控制N-CHANNEL650V30A55 ns650V40 ns2.1V @ 15V, 15A175°C30A204 ns沟渠现场停车32nC45A18ns/64ns5mmUnknownROHS3 Compliant----------
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--600V2.1V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)--100W-----Single100W-Standard---600V23A42 ns--2.6V @ 15V, 12A----49nC92A17ns/60ns--符合RoHS标准D2PAK150°C-55°C600V12ASG*23N60100W600V115μJ (on), 135μJ (off)无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS4615DTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 99W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | 对比 |
![]() | IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |





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