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首页 全部分类 RGTH60TS65GC11 vs IGP40N65H5XKSA1

RGTH60TS65GC11备选型号: IGP40N65H5XKSA1

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  • IGBT类型
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  • 质量
  • 系列
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  • 端子表面处理
  • 无卤素
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ROHM Semiconductor
    RGTH60TS65GC11
    ROHM Semiconductor
    IGBT 650V 58A 197W TO-247N
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    194W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    197W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    58A
    67 ns
    2.1V @ 15V, 30A
    30A
    179 ns
    沟渠现场停车
    58nC
    120A
    27ns/105ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGP40N65H5XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 3-Pin TO-220 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    650V
    1.65V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    255W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    255W
    -
    N-CHANNEL
    1.65V
    74A
    -
    2.1V @ 15V, 40A
    -
    -
    -
    95nC
    120A
    22ns/165ns
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    6.000006g
    TrenchStop®
    e3
    Tin (Sn)
    无卤素
    390μJ (on), 120μJ (off)
    20V
    4.8V
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