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首页 全部分类 RHU003N03T106 vs DMN313DLT-7

RHU003N03T106备选型号: DMN313DLT-7

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
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  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 附加功能
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    RHU003N03T106
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    300mA Ta
    2006
    Tape & Reel (TR)
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    800mOhm
    锡银铜
    150°C
    -55°C
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    3A
    10
    Single
    增强型MOSFET
    200mW
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 300mA, 10V
    20pF @ 10V
    6ns
    ±20V
    6 ns
    300mA
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN313DLT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-523
    3
    270mA Ta
    2011
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    Single
    增强型MOSFET
    -
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 10mA, 4V
    36.3pF @ 5V
    2.24ns
    ±20V
    28.2 ns
    380mA
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    1.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    HIGH RELIABILITY
    0.5nC @ 4.5V
    30V
    0.21A
    2Ohm
    800μm
    1.7mm
    850μm
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