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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.257779
500
¥0.189546
1000
¥0.157957
2000
¥0.144911
5000
¥0.135428
10000
¥0.125983
15000
¥0.121836
50000
¥0.119805
ROHM Semiconductor RHU003N03T106
- 收藏
- 对比
RHU003N03T106
2078-RHU003N03T106
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RHU003N03T106详情
ROHM Semiconductor RHU003N03T106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Turn Off Delay Time
9 ns
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200mW Ta
已出版
2006
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
800mOhm
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
200mW
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 300mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20pF @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
300mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RHU003N03T106拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor









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