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首页 全部分类 RHU003N03T106 vs DMN63D8LDW-7

RHU003N03T106备选型号: DMN63D8LDW-7

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  • 电阻
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  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RHU003N03T106
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    300mA Ta
    2006
    Tape & Reel (TR)
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    800mOhm
    锡银铜
    150°C
    -55°C
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    3A
    10
    Single
    增强型MOSFET
    200mW
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 300mA, 10V
    20pF @ 10V
    6ns
    ±20V
    6 ns
    300mA
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    2
    2012
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    22pF @ 25V
    3.2ns
    -
    6.3 ns
    220mA
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6.010099mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    DMN63D8L
    AEC-Q101
    1.5V @ 250μA
    870nC @ 10V
    30V
    1.5V
    4.5Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
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